6T体育官网_GaN技术的AC-DC变换器IC怎么实现高效率?

本文摘要:作为一种新兴的半导体材料,GaN材料的特性十分好,具备低热导率、化学稳定性好、必要带上隙、强劲原子键等性质,限于于很多的应用于,GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在高温大功率器件和高频微波器件应用于方面具有辽阔前景,特别是在是在功率器件方面,比如GaN技术的优势相当大,比如LED驱动器IC和AC-DC变换器IC。

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作为一种新兴的半导体材料,GaN材料的特性十分好,具备低热导率、化学稳定性好、必要带上隙、强劲原子键等性质,限于于很多的应用于,GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在高温大功率器件和高频微波器件应用于方面具有辽阔前景,特别是在是在功率器件方面,比如GaN技术的优势相当大,比如LED驱动器IC和AC-DC变换器IC。功率器件就是展开功率处置的器件,具备处置低电压、大电流能力的半导体器件,一般来说情况下,功率器件必须展开变频、变压、变流、功率管理等处置,功率器件在计算机、通讯、工业、消费电子、汽车等领域皆有应用于。

相对于MOSFET的硅功率器件比起,基于GaN的功率器件具备更高的效率和更加强劲的功耗处置能力,这些优势是当下高功耗、高密度系统等所必须的。作为高压电源切换领域半导体技术的著名创新者,PowerIntegrations公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分,可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用于中电能的有效地传输和消耗。近日,PowerIntegrations公布基于氮化镓的InnoSwitch3AC-DC变换器IC以及发售的全新LYTSwitch-6LED驱动器IC皆使用了PowiGaN技术,可获取出色的功率密度和效率。

PowerIntegrations资深技术经理阎金光(JasonYan)对等多家媒体讲解了LYTSwitch-6LED驱动器IC以及InnoSwitch3AC-DC变换器IC产品,下面是关于产品的一些特点。基于氮化镓的InnoSwitch3AC-DC变换器ICInnoSwitch3AC-DC变换器IC可在整个阻抗范围内获取95%的高效率,并且在密封适配器内不用于散热片的情况下可获取100W的功率输入,这一突破性的性能提高源于内部研发的高压氮化镓电源技术。JasonYan提及,定谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-ProIC在一个表面贴装PCB内构建了初级电路、次级电路和对系统电路。

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在新的公布的系列器件中,氮化镓电源更换了IC初级的常规高压硅晶体管,这可以减少电流流动期间的传导损耗,并很大减少工作时的开关损耗。这最后有助大幅度减少电源的能耗,从而提高效率,使体积更加小的InSOP-24DPCB获取更大的输出功率。在构建高效率和小尺寸方面,氮化镓是一项显著高于硅技术的关键技术,预计众多电源应用于不会从硅晶体管较慢切换为氮化镓,InnoSwitch3已沦为离线开关电源IC市场当之无愧的技术先行者。

InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的电源特性可以通过转变硬件参数的方式展开配备,而InnoSwitch-Pro构建先进设备的数字模块,可通过软件构建对恒压和恒流的设置点、出现异常处置以及安全模式选项的掌控。InnoSwitch3IC可用作对尺寸和效率有较高拒绝的应用于,如非原装USBPD适配器,高端手机充电器和其他移动设备,笔记本适配器,对尺寸和效率有较高拒绝的应用于(家电、电视机、服务器待机电源、一体机电脑、视频游戏机),应用于所拒绝的特点获益于InnoSwitch的产品特性,但必须更高的输出功率。确保产品用于的一致性、连贯性及更容易用于特性,InnoSwitch3IC是非常简单的反激式电路流形结构,无论使用硅晶体管的还是使用PowiGaN电源的InnoSwitch3IC皆用于完全相同的开关电源设计流程,完全相同的电源频率,根据输出功率的有所不同挑选适当的外部电路元件,InnoSwitch3IC的电源波形十分相近,无出现异常的电路特性展现出及减少尤其的设计考量,同时,EMI使用标准技术考量,ESD与硅器件比起没区别。

PowerIntegrations资深技术经理阎金光(JasonYan)回应,PowerIntegrations全新的InnoSwitch3IC现开始供货,基于10,000片的订货量每片单价为4美元。PowerIntegrations网站获取了五款新的参照设计,皆为输出功率介于60W到100W的USB-PD充电器,此外还获取了自动化设计工具PIExpert以及其他技术支持文档。全新的LYTSwitch-6LED驱动器IC有何亮点?功率器件的应用于更加普遍,同时拒绝也在强化,比如市场对功率器件的环保拒绝减少,低碳生活意味著低功耗,对于AC-DC变换器IC与LED驱动器IC而言,设计者必须考虑到产品的功率密度和效率。

据JasonYan讲解,新的LYTSwitch-6IC具备极高的效率,需要用于散热片才可大幅度增大镇流器的尺寸和重量,并减少对驱动器周边风冷环境的拒绝。750VPowiGaN初级电源可获取极低的RDS(ON),并减少开关损耗。

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相比于常规方案,这一改良融合LYTSwitch-6现有的诸多特性,可使功率切换效率提升3%,进而增加三分之一以上的热能浪费。LYTSwitch-6IC使用PowiGaN技术,可获取无损耗电流检测,有助提高效率。LYTSwitch-6产品系列的新器件仍保有了较慢动态号召等优势,可为并联LED灯串获取出色的交叉调整亲率,并且需要额外的二次稳压电路,同时还反对无闪烁系统工作。

这些优势可以确保更为更容易构建用于脉宽调制(PWM)模块的调光应用于。用于PowiGaN电源减小了该产品的输出功率范围及穿透电压范围在多数情况下,功率器件是用来掌控电流的通过和切断,当电流通过时,这个理想电源两端的电压再降零,当电流切断时,这个理想电源两端可以忍受的电压是给定大小。如今的的功率器件早已具备很好的性能,在拒绝电压电流处置范围内,可以相似一个理想电源。

先进设备的氮化镓(GaN)技术可大幅提高功率和效率,这给氮化镓功率器件发展建构了条件。GaN具备很慢的电源速度和出色反向恢复性能,在低损耗、高效率应用于场合优势显著。JasonYan回应,用于PowiGaN电源的LYTSwitch-6IC构建小于100W的输出功率,基于硅晶体管的LYTSwitch-6产品在超过65W的应用于当中十分有效地,PowiGaN电源获取更大的输出功率单位面积的RDS(ON)更加小开关损耗更加较低LYTSwitch-6PowiGaN器件LYT6079C高达100W输出功率,LYT6070C高达110W输出功率。

使用PowiGaN技术的全新LYTSwitch-6IC的高效率设计尤其合适智能家用和商用灯光以及薄型天花板凹槽灯应用于。GaN电源技术是功率切换的未来GaN是一种低电子迁移率晶体管,这就意味著GaN器件的临界电场强度小于硅,如果给它们完全相同的片上电阻和穿透电压,GaN的尺寸更加小。

大功率密度的LYTSwitch-6设计可增大LED驱动器的高度和重量,这对于空间有限且密封的镇流器应用于而言至关重要。PowerIntegrations资深技术经理阎金光(JasonYan)回应,PowiGaN电源极具实用性,PowiGaN电源高于硅晶体管开关电源更为高效、温升更加较低、体积更小在高功率应用于当中引导“无散热片”设计的设计趋势。他之后说,GaN电源技术是功率切换的未来,PowiGaN电源构建于IC内部并获取可信的维护控制器、驱动器、PowiGaN电源、维护电路及SR掌控构建在一个器件以内更高的效率工作方式与其它LYTSwitch-6器件完全相同。目前,基于GaN的LYTSwitch-6LED驱动器IC现开始供货。


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